TIP111G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G
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Transistor, TIP111G, ON Semiconductor
Er wurde für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit niedriger Geschwindigkeit entwickelt.
Features
- Monolithische Konstruktion
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 2 A | |
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 50 W | |
| Kollektorstrom | 2 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 500 mA |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Nein |
| Substanz Beschreibung | Blei |
