FDB0190N807L | onsemi

Name: onsemi N-Kanal Power Trench MOSFET, 80 V, 270 A, D2PAK-7L, FDB0190N807L
Brand: onsemi
SKU: 54S1023
Price: 3.77 EUR
Availability: InStock

onsemi N-Kanal Power Trench MOSFET, 80 V, 270 A, D2PAK-7L, FDB0190N807L

Bestellnr.: 54S1023

EAN: 4099879034809

HTN:

FDB0190N807L

Herstellerserien: FDB019

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 80 V

max. Strom 270 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.7 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET, FDB0190N807L, ON Semiconductor

Features

Max RDSon = 1,7 mOhm @ VHGS= 10V, ID= 34A
Schnelles Umschalten; niedrige Gate-Ladung
Hohe Leistung und Strombelastbarkeit

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	1.7 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.78x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	D2PAK-7L
	max. Spannung	80 V
	max. Strom	270 A
	max. Temperatur	175 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	250 W