FDMS86255 | onsemi
onsemi N-Kanal Shielded PowerGate Trench MOSFET, 150 V, 45 A, SO-8-FL/Power56, FDMS86255
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Strom Graben, FDMS86255, onsemi
Der FDMS86255 wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der die Shielded Gate-Technologie beinhaltet. Dieser Prozess wurde für den On-State-Widerstand optimiert und bietet dennoch eine hervorragende Schaltleistung.
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 12.4 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.9x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | SO-8-FL/Power56 | |
max. Spannung | 150 V | |
max. Strom | 45 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | SMD |
Download
Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 3 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |