FDMT1D3N08B | onsemi

Name: onsemi N-Kanal Dual Cool Power Trench MOSFET, 80 V, 164 A, DualCool88, FDMT1D3N08B
Brand: onsemi
SKU: 54S1022
Price: 4.58 EUR
Availability: OutOfStock

onsemi N-Kanal Dual Cool Power Trench MOSFET, 80 V, 164 A, DualCool88, FDMT1D3N08B

Bestellnr.: 54S1022

EAN: 4099879034793

HTN:

FDMT1D3N08B

Herstellerserien: FDMT1

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 80 V

max. Strom 164 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.35 mΩ

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Produktbeschreibung

Strom Graben, FDMT1D3N08B, onsemi

Der FDMT1D3N08B wird in einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt. Fortschritte in der Silizium- und Dual CoolTM-Gehäusetechnologie wurden kombiniert, um den niedrigsten rDS(on) zu bieten und gleichzeitig eine exzellente Schaltleistung durch einen extrem niedrigen Übergangswiderstand zur Umgebung zu gewährleisten.

Features

Fortschrittliche Gehäuse- und Siliziumkombination für niedrigen rDS(on) und hohen Wirkungsgrad
Verbesserte Körperdiodentechnologie der nächsten Generation
Entwickelt für sanfte Erholung
RoHS-konform

Anwendungen

Oring FET / Lastschalter
Synchrone Gleichrichtung
DC-DC-Wandlung

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	1.35 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	1.86x10<sup>-7</sup> C
	Gehäuse	DualCool88
	max. Spannung	80 V
	max. Strom	164 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD