BD239C | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 2 A, 115 V, THT, TO-220, BD239C
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NPN-Leistungstransistor, BD239C, STMicroelectronics
Dieser Transistor zeichnet sich durch eine außergewöhnlich hohe Verstärkungsleistung in Verbindung mit einer sehr niedrigen Sättigungsspannung aus. Er ist für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet.
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 115 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 2 A | |
Sättigungsspannung | 700 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 3 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 30 W | |
Kollektorstrom | 2 A | |
Min Gleichstromverstärkung | 15 mA |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |