BDX33C | STMicroelectronics
Bipolartransistor, NPN, 10 A, 100 V, THT, TO-220, BDX33C
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NPN transistor, BDX33C, STMicroelectronics
Dieser NPN-Leistungstransistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO-220-Kunststoffgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.
Technische Daten
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 10 A | |
Sättigungsspannung | 2.5 V | |
Transitfrequenz fTmin | 20 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 70 W | |
Kollektorstrom | 10 A |
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Logistik
Ursprungsland | KR |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |