STP3N150 | STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Kanal PowerMESH MOSFET, 1500 V, 2.5 A, TO-220, STP3N150

Bestellnr.: 30S1122
EAN: 4099879033901
HTN:
STP3N150
Herstellerserien: STP
STMicroelectronics
STP3N150 STMicroelectronics MOSFETs
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Leistungs-MOSFET, STP3N150, STMicroelectronics

Der STP3N150 ist ein PowerMESH™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit minimierten Eigenkapazitäten und Qg. Dieser Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung des konsolidierten, auf dem Streifenlayout basierenden MESH OVERLAY™ Prozesses des Unternehmens entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standard-Bauteile anderer Hersteller erreicht oder verbessert.

Features

  • 100% lawinengeprüft
  • Hochgeschwindigkeits-Umschaltung
  • Die Kriechstrecke beträgt 5,4 mm
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 9 Ω
Gate Charge Qg @10V (nC) 1x10<sup>-8</sup> C
Gehäuse TO-220
max. Spannung 1500 V
max. Strom 2.5 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Verlustleistung W (DC) 63 W
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 1
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja