STP3N150 | STMicroelectronics
STMicroelectronics N-Kanal PowerMESH MOSFET, 1500 V, 2.5 A, TO-220, STP3N150
Leistungs-MOSFET, STP3N150, STMicroelectronics
Der STP3N150 ist ein PowerMESH™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit minimierten Eigenkapazitäten und Qg. Dieser Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung des konsolidierten, auf dem Streifenlayout basierenden MESH OVERLAY™ Prozesses des Unternehmens entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standard-Bauteile anderer Hersteller erreicht oder verbessert.
Features
- 100% lawinengeprüft
- Hochgeschwindigkeits-Umschaltung
- Die Kriechstrecke beträgt 5,4 mm
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 9 Ω | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Spannung | 1500 V | |
max. Strom | 2.5 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 63 W |
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |