SIJ438DP-T1-GE3 | Vishay

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 80 A, PowerPAK SO-8L, SIJ438DP-T1-GE3

Bestellnr.: 54S1027
EAN: 4099879034830
HTN:
SIJ438DP-T1-GE3
Herstellerserien: SIJ438
Vishay
SIJ438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs
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N-Kanal-MOSFET, SIJ438DP-T1-GE3, Vishay

Features

  • Abgestimmt auf den niedrigsten RDS-Qoss FOM
  • 100 % Rg und UIS getestet
  • Qgd / Qgs-Verhältnis < 1 optimiert das Schaltverhalten
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.35 mΩ
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 1.75 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC) 1.21x10<sup>-7</sup> C
Gehäuse PowerPAK SO-8L
max. Spannung 40 V
max. Strom 80 A
max. Temperatur 150 °C
min. Temperatur -55 °C
Montage SMD
Verlustleistung W (DC) 69.4 W
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
MSL MSL 3
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja