SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay

Name: Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 30 V, 38.3 A, PowerPAK 1212-8, SISA18ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 24S8224
Price: 0.36 EUR
Availability: OutOfStock

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 30 V, 38.3 A, PowerPAK 1212-8, SISA18ADN-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8224

EAN: 4099879033697

HTN:

SISA18ADN-T1-GE3

Herstellerserien: SISA18

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 38.3 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 7.5 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiSA18ADN, 30 V, 7,5 mOhm, 38,3 A, 6,9 nC, PowerPAK 1212-8

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	7.5 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	2.15x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	PowerPAK 1212-8
	max. Spannung	30 V
	max. Strom	38.3 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD