74404020010 | Würth Elektronik eiSos
Leistungsdrossel, SMD 2010, 1 µH, 1.5 A, 74404020010
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Eigenschaften
- 1.7 mal mehr Strom als vergleichbare ungeschirmte Bauformen
- Kompaktes Speicherdrossel-Design
- Niedriger RDC
- Magnetisch geschirmt durch einen magnetischen Klebstoff
- Gute Eigenschaften im Niederfrequenten Bereich
- Robuster Aufbau und lange Lebensdauer
Applikationen
- Integrierte DC/DC-Wandler
- Schaltregler mit hohem Wirkungsgrad
- Tragbare Geräte (Smartphones, Digitalkameras, Tablets etc.)
- embedded PC-Karten
- Bauformen (5040, 60xx, 8040) können auch in Schock-resistente Schaltungen eingesetzt werden
Technische Daten
| Ausführung | Halbgeschirmte Leistungsinduktivität | |
| Bauform | SMD 2010 | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Gleichstrom | 1.5 A | |
| Gleichstromwiderstand | 94 mΩ | |
| Höhe | 1 mm | |
| Induktivität | 1 µH | |
| Länge | 2 mm | |
| Messfrequenz | 177 MHz | |
| Sättigungsstrom | 2 A | |
| Toleranz | ±20 % |
Download
Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85045000 |
| MSL | MSL 1 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
