Suchergebnis im Warensortiment bei Bürklin Elektronik

4 Artikel in 4 Varianten

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Produkt-Varianten zusammenfassen

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3

Bestellnr.:

24S8210

Hersteller:

Vishay

Hersteller-Nr.:

SIR826ADP-T1-GE3

Sofort verfügbar: 3.000 Stk. Ab Hersteller: 69 Wochen **

Gesamtpreis: 2,20 € *

1 Stk.

2,2015 €

25 Stk.

1,8802 €

100 Stk.

1,7255 €

250 Stk.

1,6422 €

1000 Stk.

1,4994 €

80 V

60 A

5.5 mΩ

SOIC-8

104 W

N-Kanal

SMD

-55 °C

150 °C

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 100 V, 60 A, SOIC-8, SIR870ADP-T1-GE3

Bestellnr.:

24S8214

Hersteller:

Vishay

Hersteller-Nr.:

SIR870ADP-T1-GE3

Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: 30 Wochen **

Gesamtpreis: 5.176,50 € *

3000 Stk.

1,7255 €

100 V

60 A

6.3 mΩ

SOIC-8

104 W

N-Kanal

SMD

-55 °C

150 °C

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS488DN-T1-GE3

Bestellnr.:

24S8238

Hersteller:

Vishay

Hersteller-Nr.:

SIS488DN-T1-GE3

Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **

Gesamtpreis: 1,33 € *

1 Stk.

1,3328 €

10 Stk.

1,2376 €

50 Stk.

1,0948 €

250 Stk.

0,9401 €

1000 Stk.

0,8211 €

2500 Stk.

0,7616 €

40 V

40 A

5.5 mΩ

PowerPAK 1212-8

N-Kanal

SMD

-55 °C

150 °C

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 60 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS862DN-T1-GE3

Bestellnr.:

24S8242

Hersteller:

Vishay

Hersteller-Nr.:

SIS862DN-T1-GE3

Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **

Gesamtpreis: 2.427,60 € *

3000 Stk.

0,8092 €

60 V

40 A

8.5 mΩ

PowerPAK 1212-8

52 W

N-Kanal

SMD

-55 °C

150 °C

Land	Lieferzeit in Tagen	Versandkosten zzgl. MwSt.	Versandkosten inkl. MwSt.
Deutschland	1	6,90 €	8,21 €
Österreich	1-2	8,30 €	9,96 €
Schweiz	1-2	16,40 €	19,52 €