BC559C | CDIL
Bipolar junction transistor, PNP, 100 mA, 30 V, THT, TO-92, BC559C
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PNP transistor, BC559C, CDIL
The BC559C PNP silicon epitaxial planar transistor is suitable for switching and AF amplifier application.
Technical specifications
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-92 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 30 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 100 mA | |
| Sättigungsspannung | 650 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 800 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 420 mA |
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Logistics
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
