BD410 | CDIL
Bipolar junction transistor, NPN, 1 A, 325 V, THT, TO-126, BD410
Order No.: 14S3150
EAN: 4099879028181
MPN:
BD410
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NPN transistor, BD410, CDIL
This NPN epitaxial silicon power transistor is used for high power switching.
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-126 | |
| max. Temperatur | 125 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 500 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 325 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 1 A | |
| Sättigungsspannung | 1.5 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.25 W | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 240 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
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Logistics
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85419000 |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
