MJE3055T | CDIL
Bipolar junction transistor, NPN, 10 A, 60 V, THT, TO-220, MJE3055T
Power transistor, MJE3055T, CDIL
This plastic power transistor with excellent safe operating area is ideal for HI-Fi amplifier and switching regulator applications.
Technical specifications
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 70 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 10 mA | |
Sättigungsspannung | 1.1 V | |
Transitfrequenz fTmin | 2 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 75 W | |
Kollektorstrom | 10 A | |
Max Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 20 mA |
Download
Logistics
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Bulk mit 100 Stück |
Compliance
RoHS konform | Yes |
Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
SVHC frei | Yes |