MJE350 | CDIL
Bipolar junction transistor, PNP, 500 mA, 300 V, THT, TO-126, MJE350
Unit Price (€ / pc.)
0.2380 € *
Available: 60 pcs.
Available in 5 Days: 2,450 pcs.
Leadtime: 50 Weeks **
Power transistor, MJE350, CDIL
This epitaxial silicon power transistor is suitable for use in high voltage general purpose applications.
Technical specifications
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-126 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 300 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 300 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 500 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.25 W | |
| Kollektorstrom | 500 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 240 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
Download
Logistics
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
