2N5416-T | COMSET Semiconductors
Bipolar junction transistor, PNP, -200 mA, -300 V, THT, TO-39, 2N5416-T
Unit Price (€ / pc.)
0.6307 € *
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PNP transistor, 2N5416-T, COMSET
The 2N5416-T is a PNP transistors mounted in TO-39 metal case. It is intended for use in high-voltage switching and linear amplifier applications.
Features
- Compliance to RoHS
Technical specifications
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-39 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -350 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -300 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | -2.5 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 15 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1 W | |
| Kollektorstrom | -200 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
Download
Logistics
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
