ZTX653 | Diodes
Bipolar junction transistor, NPN, 2 A, 100 V, THT, e-line, ZTX653
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NPN transistor, ZTX653, DIODES
NPN silicon planar medium power high voltage transistor, E-Line.
Technical specifications
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | E-Line | |
max. Temperatur | 200 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Sättigungsspannung | 230 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 175 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 1 W | |
Kollektorstrom | 2 A |
Download
Logistics
Ursprungsland | GB |
Zolltarifnummer | 85419000 |
Originalverpackung | Bulk mit 4.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Yes |
Stand der RoHS-Richtlinie | 6/8/11 |
SVHC frei | Yes |