ZTX757 | Diodes
Bipolar junction transistor, PNP, -0.5 A, -300 V, THT, TO-92, ZTX757
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PNP transistor, ZTX757, DIODES
PNP silicon planar medium power high voltage transistor, E-Line.
Technical specifications
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-92 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -300 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -300 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | -500 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 30 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1 W | |
| Kollektorstrom | -0.5 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA |
Download
Logistics
| Ursprungsland | QU |
| Zolltarifnummer | 85419000 |
| Originalverpackung | Bulk mit 4.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 6/8/11 |
| SVHC frei | Yes |
