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ZTX849 | Diodes

Bipolar junction transistor, NPN, 5 A, 30 V, THT, e-line, ZTX849

Order No.: 26S2884
EAN: 4099879030054
MPN:
ZTX849
Series: ZTX
Diodes
ZTX849 Diodes Bipolar Transistors
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Key Specification:
Montage THT
Gehäuse E-Line
Ausführung NPN
Sättigungsspannung 200 mV
Kollektorstrom 5 A
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NPN transistor, ZTX849, DIODES

NPN silicon planar medium power high current transistor, E-Line.
Technical specifications
Ausführung NPN
Gehäuse E-Line
max. Temperatur 200 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 80 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 30 V
min. Temperatur -55 °C
Montage THT
Nennstrom 5 A
Sättigungsspannung 200 mV
Transitfrequenz fTmin 100 MHz
Verlustleistung VA (AC) 1.2 W
Kollektorstrom 5 A
Max Gleichstromverstärkung 300 mA
Min Gleichstromverstärkung 100 mA
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Logistics
Ursprungsland QU
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Bulk mit 4.000 Stück
Compliance
RoHS konform Yes
Stand der RoHS-Richtlinie 3/31/15
SVHC frei Yes