BC848BE6327 | Infineon Technologies
Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 30 V, SMD, SOT-23, BC848BE6327
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Bipolar transistor, BC848BE6327, Infineon Technologies
Features
- High current gain
- Low collector-emitter saturation voltage
- Low noise
- Pb-free and RoHs-compliant
Applications
- For AF input stages and driver applications
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 30 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 250 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 250 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA |
Download
Logistics
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
