BC860B | Infineon Technologies

Name: Bipolar junction transistor, PNP, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC860B
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12S6296
Price: 0.04 EUR
Availability: OutOfStock

Bipolar junction transistor, PNP, 100 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BC860B

Order No.: 12S6296

EAN: 4099879027405

MPN:

BC860B

Series: BC860

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Key Specification:

Montage SMD

Gehäuse SOT-23

Ausführung PNP

Sättigungsspannung 300 mV

Kollektorstrom 100 mA

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Description

Bipolar transistor, BC860B, Infineon Technologies

Features

High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Low noise
Pb-free and RoHs-compliant

Applications

For AF input stages and driver applications

Technical specifications

	Ausführung	PNP
	Gehäuse	SOT-23
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	50 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	45 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	SMD
	Nennstrom	100 mA
	Sättigungsspannung	300 mV
	Transitfrequenz fTmin	250 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	0.33 W
	Kollektorstrom	100 mA
	Max Gleichstromverstärkung	475 mA
	Min Gleichstromverstärkung	220 mA