BCR112E6327 | Infineon Technologies

Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR112E6327

Order No.: 12S6600
EAN: 4099879027535
MPN:
BCR112E6327
Series: BCR
BCR112E6327 Infineon Technologies Bipolar Transistors
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Bipolar transistor, BCR112E6327, Infineon Technologies

Features

  • Built in bias resistor
  • Low current gain
  • High collector-emitter breakdown voltage
  • Pb-free and RoHs-compliant

Applications

  • Switching circuit
  • Inverters
  • Interface circuit
  • Driver circuit
Technical specifications
Ausführung NPN
Gehäuse SOT-23
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 50 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 50 V
min. Temperatur -65 °C
Montage SMD
Nennstrom 100 mA
Sättigungsspannung 300 mV
Transitfrequenz fTmin 140 MHz
Verlustleistung VA (AC) 0.2 W
Kollektorstrom 100 mA
Min Gleichstromverstärkung 20 mA
Logistics
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Yes
Stand der RoHS-Richtlinie 3/31/15
SVHC frei Yes