BCR162E6327 | Infineon Technologies
Bipolar junction transistor, PNP, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR162E6327
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Bipolar transistor, BCR162E6327, Infineon Technologies
Features
- Built in bias resistor
- Low current gain
- High collector-emitter breakdown voltage
- Pb-free and RoHs-compliant
Applications
- Switching circuit
- Inverters
- Interface circuit
- Driver circuit
Technical specifications
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 300 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.2 W | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 20 mA |
Download
Logistics
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
