BCW68H | Infineon Technologies
Bipolar junction transistor, PNP, 800 mA, 45 V, SMD, SOT-23, BCW68H
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Bipolar transistor, BCW68H, Infineon Technologies
Features
- High collector current
- High current gain
- Low collector-emitter saturation voltage
- Pb-free and RoHs-compliant
Applications
- For AF driver and output stages
Technical specifications
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Nennstrom | 1 A | |
Sättigungsspannung | 1 V | |
Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.33 W | |
Kollektorstrom | 800 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 630 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 250 mA |
Download
Logistics
Ursprungsland | MY |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Yes |
Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
SVHC frei | Yes |