BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolar junction transistor, NPN, 80 mA, 4.5 V, SMD, TSFP-4, BFP540FESDH6327XTSA1
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Bipolar transistor, BFP540FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- Low current gain
- Low collector-emitter breakdown voltage
- Low noise
- Pb-free and RoHs-compliant
Applications
- For ESD protected high gain low noise amplifiers
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TSFP-4 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 10 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4.5 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 30 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Kollektorstrom | 80 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 170 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 50 mA |
Download
Logistics
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
