BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolar junction transistor, NPN, 150 mA, 4 V, SMD, TSFP-4, BFP650FH6327XTSA1
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Bipolar transistor, BFP650FH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- Low current gain
- Low collector-emitter breakdown voltage
- 70 GHz fT- Silicon Germanium
- Pb-free and RoHs-compliant
Applications
- For low phase noise oscilators
- For medium power amplifiers and driver stages
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TSFP-4 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 13 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 42 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
| Kollektorstrom | 150 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 270 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 110 mA |
Download
Logistics
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
