BFR35APE6327HTSA1 | Infineon Technologies
Bipolar junction transistor, NPN, 45 mA, 15 V, SMD, SOT-23, BFR35APE6327HTSA1
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Bipolar transistor, BFR35APE6327HTSA1, Infineon Technologies
Features
- Low current gain
- High collector-emitter breakdown voltage
- Low noise
- Pb-free and RoHs-compliant
Applications
- For low distortion broadband amplifiers
- For oscilators
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 15 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 5 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.28 W | |
| Kollektorstrom | 45 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 140 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 70 mA |
Download
Logistics
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 6.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
