BC859B | NEXPERIA
Bipolar junction transistor, PNP, -100 mA, -30 V, SMD, SOT-23, BC859B
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PNP transistor, BC859B, NEXPERIA
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
Features
- Low current
- Low voltage
Applications
- Low noise input stages of audio frequency equipment
Technical specifications
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -30 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | -650 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Kollektorstrom | -100 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 475 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 220 mA |
Download
Logistics
| Ursprungsland | PH |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | Yes |
