BCW61D,215 | NEXPERIA
Bipolar junction transistor, PNP, -100 mA, -32 V, SMD, TO-236AB, BCW61D,215
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PNP transistor, BCW61D,215, NEXPERIA
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
Features
- AEC-Q101 qualified
Applications
- General purpose switching and amplification
Technical specifications
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | TO-236AB | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -32 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -32 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | -550 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
Kollektorstrom | -100 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 630 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 380 mA |
Download
Logistics
Ursprungsland | HK |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
RoHS konform | Yes |
Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
SVHC frei | Yes |