PMBT2222A,215 | NEXPERIA
Bipolar junction transistor, NPN, 600 mA, 40 V, SMD, TO-236, PMBT2222A,215
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NPN switching transistor, PMBT2222A,215, NXP
NPN switching transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package
Features
- High current (max. 600 mA)
- Low voltage (max. 40 V)
Applications
- Switching and linear amplification
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 75 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Nennstrom | 600 mA | |
| Sättigungsspannung | 300 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 300 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| Kollektorstrom | 600 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 35 mA |
Download
Logistics
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 6/8/11 |
| SVHC frei | Yes |
