PUMZ1,115 | NEXPERIA
Bipolar junction transistor, NPN/PNP, 100 mA, 40 V, SMD, SOT-363, PUMZ1,115
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NPN/PNP transistor, PUMZ1,115, NEXPERIA
Two independently operating NPN/PNP transistors in an SC-88; SOT363 plastic package.
Features
- Reduces number of components and boardspace
- AEC-Q101 qualified
Applications
- General-purpose switching and amplification
Technical specifications
Ausführung | NPN/PNP | |
Gehäuse | SOT-363 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | 200 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W | |
Kollektorstrom | 100 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 120 mA |
Download
Logistics
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
RoHS konform | Yes |
Stand der RoHS-Richtlinie | 6/8/11 |
SVHC frei | Yes |