BD137G | onsemi
Bipolar junction transistor, NPN, 1.5 A, 60 V, THT, TO-225AA, BD137G
Unit Price (€ / pc.)
0.4522 € *
Available: 0 pcs.
Leadtime: On Request **
NPN transistor, BD137G, onsemi
This NPN power bipolar junction transistor is designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
Features
- Halogen free
- RoHS Compliant
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-225AA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| Verlustleistung VA (AC) | 12.5 W | |
| Kollektorstrom | 1.5 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA |
Download
Logistics
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 6/8/11 |
| SVHC frei | Yes |
