NJW21193G | onsemi
Bipolar junction transistor, PNP, 16 A, 250 V, THT, TO-3P, NJW21193G
Unit Price (€ / pc.)
3.0702 € *
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PNP power transistor, NJW21193G, onsemi
This silicon power transistor is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
Features
- High DC current gain
- Excellent gain linearity
- Exceptional safe operating area
Technical specifications
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | TO-3P | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 400 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 250 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Sättigungsspannung | 1.4 V | |
Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 200 W | |
Kollektorstrom | 16 A | |
Max Gleichstromverstärkung | 80 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 20 mA |
Download
Logistics
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85419000 |
Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
RoHS konform | Yes |
Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
SVHC frei | Yes |