TIP111G | onsemi
Bipolar junction transistor, NPN, 2 A, 80 V, THT, TO-220, TIP111G
Unit Price (€ / pc.)
0.357 € *
Available: 8 pcs.
Leadtime: On Request **
Transistor, TIP111G, ON Semiconductor
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
Features
- Monolithic construction
Technical specifications
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 2 A | |
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 50 W | |
| Kollektorstrom | 2 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 500 mA |
Download
Logistics
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Yes |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
| SVHC frei | No |
| Substanz Beschreibung | Blei |
