TIP120G | onsemi
Bipolar junction transistor, NPN, 5 A, 60 V, THT, TO-220, TIP120G
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Complementary transistor, TIP120G, onsemi
This complementary silicon transistor is designed as general-purpose amplifier and for low speed switching applications.
Technical specifications
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Sättigungsspannung | 4 V | |
Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 65 W | |
Kollektorstrom | 5 A | |
Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA |
Download
Logistics
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Yes |
Stand der RoHS-Richtlinie | 3/31/15 |
SVHC frei | Yes |